技術發展方面，台積電致股東營業報告書說，我們的2奈米技術將採用奈米片（Nanosheet）電晶體結構，並提供全製程效能和功耗效率的效益，相較於 N3E，N2 在相同功耗下速度增快 10%-15%，或在相同速度下功耗降低 25%-30%，以滿足日益增加的節能運算需求；N2將為我們的客戶提供最佳的效能、成本，和技術成熟度，並將進一步擴展我們未來的技術領先地位。
台積電致股東營業報告書說，隨著3奈米技術在民國一百一十一年邁入量產，並且在 PPA（效能、功耗及面積）及電晶體技術上都是最先進的半導體技術，台積公司持續擴大我們的技術領先。我們正在為下一世代的技術奠定堅實基礎，N2 技術的研發依計畫進行中，預計於民國一百一十三年試產，並於民國一百一十四年量產。我們的2奈米技術推出時，在密度和能源效率上都將是業界最先進的半導體技術。
台積電致股東營業報告書也提到，民國一百一十一年，台積公司持續提升研發費用至54億7,000萬美元，以擴大我們的技術領先和差異化優勢。我們亦與客戶密切合作，協助全球的創新者釋放創新，為半導體產業創造更大價值。
台積電致股東營業報告書提到， 5奈米家族技術已邁入量產的第三年，為台積公司營收貢獻26%，我們持續強化 N5 家族的效能、功耗和密度，N4 已於民國一百一十一年開始量產，且我們也為支援下一波的 5 奈米產品，推出了 N4P 和 N4X 製程技術。N4P 製程技術研發進展順利，預計於民國一百一十二年量產；N4X 是台積公司第一個專注於高效能運算（HPC）、高工作負載的技術，預計於民國一百一十二年進行客戶產品設計定案。
繼 N3 技術於民國一百一十一年進入量產，具備更好的性能、功耗和良率的N3E 將進一步擴充我們的 N3 家族。N3E 預計於民國一百一十二年下半年量產。我們的 N3 和 N3E 客戶參與度非常高，量產第一年和第二年的產品設計定案數量將是 N5 的兩倍以上。我們預期 N3家族將成為台積公司另一個大規模且有長期需求的製程技術。
台積電致股東營業報告書也說，隨著台積公司不斷突破電晶體微縮的極限，也在不斷擴展台積公司3DFabric設計解決方案，以提升系統級效能至新境界。台積公司3DFabric結合了晶圓級 3D 和先進封裝技術，在我們的 3D 技術方面，系統整合晶片（TSMC-SoIC）晶片堆疊於晶圓之上（Chip on Wafer, CoW）技術成功於民國一百一十一年邁入量產，透過將靜態隨機存取記憶體（SRAM）堆疊於邏輯晶圓上展現顯著的效能優化；系統整合晶片（TSMC-SoIC）晶圓堆疊於晶圓之上（Wafer on Wafer, WoW）技術則透過在深溝槽電容晶圓上堆疊 7 奈米邏輯晶圓，為民國一百一十一年的高效能運算（HPC）產品展現了卓越的系統效能強化。在我們的先進封裝技術方面，CoWoS®-S技術整合了多個系統單晶片（SoC）、高頻寬記憶體（HBM）堆疊和三倍光罩尺寸的矽基板，成功於民國一百一十一年量產以支援客戶的高效能運算（HPC）產品；在整合型扇出（InFO）先進封裝技術方面，整合了多個系統單晶片（SoC）和兩倍光罩尺寸扇出封裝的台積公司整合型扇出暨基板封裝技術（InFO-oS），亦成功邁入量產。
為了支援客戶釋放創新、讓產品迅速上市，台積公司提供了所需的完備基礎架構，為客戶優化設計效率和週期時間。台積公司持續拓展我們的開放創新平台（Open Innovation Platform, OIP），於民國一百一十一年提供了超過5萬5,000個資料庫與矽智財組合，並提供從0.5微米至3奈米超過4萬3,000個技術檔案及超過2,900個製程設計套件。
