新聞比英特爾晚5年?傳台積電2030才採用最新型EUV 105

: Packky

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陳麗珠/核稿編輯
ASML員工在總部工廠的High NA EUV設備前合影。(路透社)
〔財經頻道/綜合報導〕艾司摩爾(ASML)首台最新型「High-NA EUV」(高數值孔徑極紫外光微影系統)買家,由英特爾搶到頭香,預計2025年開始以這款最新設備生產先進製程晶片。台積電何時採用備受關注,傳出台積電計畫2030年或以後才用採用「High-NAEUV」。

知名科技網站《Toms Hardware》報導,英特爾收到ASML第一台最新型高數值孔徑 EUV,接下來幾年間,英特爾將此系統部署到18A後的節點(1.8 奈米製程)。相較之下,台積電似乎並不急於在短期內採用高數值孔徑 EUV ,中國華興資本董事總經理吳思浩(SzeHo Ng)研判,台積電約在2030年或以後才會趕上這一潮流。

SemiAnalysis 和華興資本的分析師認為,使用高數值孔徑 EUV的成本,可能比使用Low-NA EUV更高,至少在初期是如此,這就是為什麼台積電暫時不會傾向使用它的原因,以便確保低成本,即使代價是生產複雜性和可能較低的晶體管密度。

報導研判,英特爾希望透過高數值孔徑 EUV,領先台積電及三星,以確保戰略利益。因此,倘若台積電真如華興資本的說法,在2030年或以後(即比英特爾晚到4-5年)才會採用高數值孔徑光刻技術,如何保持製程技術領先地位,令人關注。
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良率 ㄟ???

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offrisa 2F
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G G:不急

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反正最後良率(成本)才是重 點

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tw2020 4F
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不 良品

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